掩膜版龙头清溢光电持续加仓南海

　　掩膜版龙头清溢光电再度加码南海。近日，深圳清溢光电股份有限公司对外公告，其控股子公司佛山清溢微电子有限公司拟在现有高端半导体掩膜版生产基地一期、二期基础上，投资建设三期项目，计划总投资额15亿元，建设地点仍锁定南海区丹灶镇，建设期36个月，预计2026年12月开工。

　　这是清溢光电自2023年携35亿元将生产基地落子南海以来，又一次以真金白银投下“信任票”。清溢光电高端半导体掩膜版三期原计划投资6亿元，目前投资改为15亿元，是原规划的2.5倍。三期项目将在现有厂房基础上改造并引入新设备，扩建生产线，产品覆盖28nm—14nm制程，定位为面向国内先进制程晶圆制造环节的本土化配套产能，承接国内晶圆厂扩产及制程升级带来的掩膜版增量需求。

　　掩膜版是芯片的“底片”。制程越先进，底片上的“刻度”越细，对设备、工艺和人才的要求也越苛刻。目前清溢微电子55nmBinary掩膜版已实现量产，55nmPSM进入客户验证阶段，130nm至40nm节点PSM与OPC工艺研发稳步推进，28nm节点工艺开发已启动；同时已掌握电子束光刻、干法蚀刻等中高端掩膜版核心关键工艺。从55nm向28nm—14nm迭代，设备配置和关键工艺攻关的投入强度显著抬升。

　　当前国内先进制程掩膜版国产化率偏低，供给较多依赖境外厂商。清溢光电高端半导体掩膜版三期项目正是瞄准这一情况，提制程抢窗口补供给短板。

　　清溢的连续加码并不是孤例，近来一批项目正在南海“链”上铺开：芯慧联华南总部已于7月投产，正在筹备增资扩产；欣奕华、原速科技、安徽越好、德沪涂膜等装备企业已进入装修阶段，最快11月投产；晶洲装备华南总部研制出G6涂胶显影设备，2026年即将满产，计划2027年增资扩产；先导稀材总投资63亿元的光芯片产业化项目加快建设。一批半导体项目接连落地南海，看中的是庞大的制造应用市场、季华实验室等平台的技术支撑，以及南海高效贴心、精准务实的营商服务。

文/南海融媒欧智坚 通讯员/谢奇纯

(编辑：黎锦燕)